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BUZ73 H 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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BUZ73 H詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
系列：SIPMOS®
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 4.5A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：-
輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V
功率_最大：40W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO220-3
包裝：管件

BUZ73 H3046詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
系列：SIPMOS®
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 4.5A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：-
輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V
功率_最大：40W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO220-3
包裝：管件

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